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数字电路DIGITAL CIRCUIT电路通常由逻辑门的大型组件制成，通常被封装在集成电路中。复杂的设备可能有简单的布尔逻辑功能的电子表示。
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我们提供的数字电路DIGITAL CIRCUIT及其相关学科的代写，服务范围广, 其中包括但不限于:
调和函数 harmonic function
椭圆方程 elliptic equation
抛物方程 Parabolic equation
双曲方程 Hyperbolic equation
非线性方法 nonlinear method
变分法 Calculus of Variations
几何分析 geometric analysis
偏微分方程数值解 Numerical solution of partial differential equations
信号代写|数字电路作业代写digital circuit代考|FIXED-BIAS CIRCUIT STABILITY
For the fixed-bias circuit shown in Figure $3.15$, the reverse saturation current stability factor, $S_{I}$, is found by applying Equation (3.68) to the expression for the base current in Equation (3.19):
$$
I_{B}=\frac{V_{C C}-V_{B E}}{R_{B}} .
$$
Substituting Equation (3.74) into Equation (3.68) yields,
$$
I_{C}=\beta_{F}\left(\frac{V_{C C}-V_{B E}}{R_{B}}\right)+\left(\beta_{F}+1\right) I_{C O} .
$$
The reverse saturation stability factor is,
$$
\begin{aligned}
S_{I} &=\frac{\partial I_{C}}{\partial I_{C O}}=\frac{\partial}{\partial I_{C O}}\left[\beta_{F}\left(\frac{V_{C C}-V_{B E}}{R_{B}}\right)+\left(\beta_{F}+1\right) I_{C O}\right] \
&=\left(\beta_{F}+1\right) .
\end{aligned}
$$
It is apparent from Equation (3.76) that $S_{I}$ is very large. Therefore, a small change in $I_{C o}$ leads to a large change in $I_{C}$.
The base-emitter voltage stability factor, $S_{V}$, is found by using Equation (3.74),
$$
\begin{aligned}
S_{V} &=\frac{\partial I_{C}}{\partial V_{B E}}=\frac{\partial}{\partial V_{B E}}\left(\beta_{F} \frac{V_{C C}-V_{B E}}{R_{B}}\right) \
&=-\frac{\beta_{F}}{R_{B}} .
\end{aligned}
$$
The $\beta_{F}$ stability factor, $S_{B}$, for the fixed-bias circuit is,
$$
\begin{aligned}
S_{\beta} &=\frac{\partial I_{C}}{\partial \beta_{F}}=\frac{\partial}{\partial \beta_{F}}\left(\beta_{F} \frac{V_{C C}-V_{B E}}{R_{B}}+\left(\beta_{F}+1\right) I_{C O}\right) \
&=\frac{V_{C C}-V_{B E}}{R_{B}}+I_{C O} \approx \frac{I_{C}}{\beta_{F}} .
\end{aligned}
$$
信号代写|数字电路作业代写digital circuit代考|SELF-BIAS CIRCUIT STABILITY
The bias stability factors for the self-bias circuit, shown in Figure 3.15, can be derived using the analysis for the fixed-bias circuit. $S_{I}$ for the self-bias circuit is found by applying Equation (3.68) to find the base and emitter currents:
$$
I_{B}=\frac{I_{C}-\left(\beta_{F}+1\right) I_{C O}}{\beta_{F}}
$$
and
$$
I_{E E}=-I_{E}=\frac{\left(\beta_{F}+1\right)}{\beta_{F}}\left(I_{C}-I_{C O}\right) .
$$
The collector current is found by using the base-emitter loop equation of Equation (3.18),
$$
V_{B B}=V_{B E}+I_{B} R_{B}+I_{E E} R_{E} .
$$
Substituting Equations (3.80a) and (3.80b) into Equation (3.81) yield the expression for $I_{C}$,
$$
I_{C}=\frac{\beta_{F}\left(V_{B B}-V_{B E}\right)+I_{C O}\left(\beta_{F}+1\right)\left(R_{B}+R_{E}\right)}{R_{B}+\left(\beta_{F}+1\right) R_{E}} .
$$
数字电路代写
信号代写|数字电路作业代写DIGITAL CIRCUIT代考|FIXED-BIAS CIRCUIT STABILITY
对于如图所示的固定偏置电路3.15，反向饱和电流稳定因子，小号一世, 是通过应用方程找到的3.68到等式中基极电流的表达式3.19:
一世乙=在CC−在乙和R乙.
代入方程3.74进入方程3.68产量，
一世C=bF(在CC−在乙和R乙)+(bF+1)一世C这.
反向饱和稳定因子为，
小号一世=∂一世C∂一世C这=∂∂一世C这[bF(在CC−在乙和R乙)+(bF+1)一世C这] =(bF+1).
从方程可以看出3.76那小号一世很大。因此，一个小小的改动一世C这导致大的变化一世C.
基极-发射极电压稳定因子，小号在, 是通过使用方程找到的3.74,
小号在=∂一世C∂在乙和=∂∂在乙和(bF在CC−在乙和R乙) =−bFR乙.
这bF稳定系数，小号乙，对于固定偏置电路，
小号b=∂一世C∂bF=∂∂bF(bF在CC−在乙和R乙+(bF+1)一世C这) =在CC−在乙和R乙+一世C这≈一世CbF.
信号代写|数字电路作业代写DIGITAL CIRCUIT代考|SELF-BIAS CIRCUIT STABILITY
自偏置电路的偏置稳定性因子如图 3.15 所示，可以通过对固定偏置电路的分析得出。小号一世对于自偏置电路是通过应用方程找到的3.68找到基极和发射极电流：
一世乙=一世C−(bF+1)一世C这bF
和
一世和和=−一世和=(bF+1)bF(一世C−一世C这).
集电极电流通过使用 Equation 的基极-发射极回路方程找到3.18,
在乙乙=在乙和+一世乙R乙+一世和和R和.
代入方程3.80一种和3.80b进入方程3.81产生表达式一世C,
一世C=bF(在乙乙−在乙和)+一世C这(bF+1)(R乙+R和)R乙+(bF+1)R和.
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