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数字电路DIGITAL CIRCUIT电路通常由逻辑门的大型组件制成，通常被封装在集成电路中。复杂的设备可能有简单的布尔逻辑功能的电子表示。
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我们提供的数字电路DIGITAL CIRCUIT及其相关学科的代写，服务范围广, 其中包括但不限于:
调和函数 harmonic function
椭圆方程 elliptic equation
抛物方程 Parabolic equation
双曲方程 Hyperbolic equation
非线性方法 nonlinear method
变分法 Calculus of Variations
几何分析 geometric analysis
偏微分方程数值解 Numerical solution of partial differential equations
信号代写|数字电路作业代写digital circuit代考|FORWARD BIAS MODELING
In the region where the diode is conducting, a good linear model of the diode is a straight line tangent to the diode $V$-I relationship at a Q-point. The slope of this line is the dynamic resistance of the diode at the Q-point, which was derived in Section 2.2:
$$
r_{d}=\frac{\partial V}{\partial I}=\frac{\eta V_{t}}{I_{s}+I}=\frac{\eta V_{t}}{I_{s}} e^{-\frac{V}{\eta V_{t}}} .
$$
The value of the threshold voltage can be derived by finding the intersection of this tangent line with the diode voltage axis:
$$
V_{\gamma}=V-I r_{d}=V-\eta V_{t}\left(1-e^{-\frac{V}{\eta V_{t}}}\right) .
$$
Figure $2.7$ demonstrates this principle showing a line tangent to a diode curve at the Q-point of: $I=3 \mathrm{~mA}$ and $V=0.776 \mathrm{~V}$.
信号代写|数字电路作业代写digital circuit代考|REVERSE BIAS MODELING
In the region where the diode is basically not conducting there are several possible linear models from which to choose. Each of these is based on the principle that the diode has a small leakage current that is fairly constant in the reverse bias region: that is when the diode voltage is between a few negative multiples of $V_{t}$ and the Zener breakdown voltage ${ }^{6}$ the diode current is constant at $-I_{S}$. The two common models are: a current source of value $-I_{S}$; or a large resistor. These models are shown in Figure 2.12.The value of the reverse resistance, $r_{r}$, for the second model can be approximated using one of two techniques: (a) using Equation (2.9) to determine the dynamic resistance about some Q-point, or (b) assuming that the diode achieves its true reverse saturation current at the Zener breakdown voltage. While method (a) allows for an exact dynamic resistance at some point, it is often difficult to choose the proper Qpoint for a particular application. Method (b) is easier to calculate, but is less accurate at any point and underestimates the dynamic resistance for large reverse voltages.
数字电路代写
信号代写|数字电路作业代写DIGITAL CIRCUIT代考|FORWARD BIAS MODELING
在二极管导通的区域，二极管的良好线性模型是与二极管相切的直线在-I 在 Q 点的关系。这条线的斜率是二极管在 Q 点的动态电阻，它是在第 2.2 节中得出的：
rd=∂在∂一世=这在吨一世s+一世=这在吨一世s和−在这在吨.
阈值电压的值可以通过找到这条切线与二极管电压轴的交点得出：
在C=在−一世rd=在−这在吨(1−和−在这在吨).
数字2.7演示了这个原理，在 Q 点处显示一条与二极管曲线相切的线：一世=3 米一种和在=0.776 在.
信号代写|数字电路作业代写DIGITAL CIRCUIT代考|REVERSE BIAS MODELING
在二极管基本上不导通的区域，有几种可能的线性模型可供选择。这些中的每一个都基于二极管具有在反向偏置区域中相当恒定的小泄漏电流的原理：即当二极管电压在几个负倍数之间时在吨和齐纳击穿电压6二极管电流恒定在−一世小号. 两种常见的模型是： 当前的价值来源−一世小号; 或大电阻。这些模型如图 2.12 所示。反向电阻的值，rr，对于第二个模型，可以使用以下两种技术之一进行近似：一种使用方程2.9确定某个 Q 点的动态电阻，或b假设二极管在齐纳击穿电压下达到其真正的反向饱和电流。而方法一种允许在某个点具有精确的动态电阻，通常很难为特定应用选择合适的 Qpoint。方法b更容易计算，但在任何时候都不太准确，并且低估了大反向电压的动态电阻。
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