如果你也在 怎样代写半导体物理Semiconductor Physics EE539/482这个学科遇到相关的难题，请随时右上角联系我们的24/7代写客服。半导体物理Semiconductor Physics半导体设备可以显示出一系列有用的特性，如电流在一个方向比另一个方向更容易通过，显示出可变电阻，以及对光或热的敏感性。由于半导体材料的电性能可以通过掺杂和应用电场或光来改变，由半导体制成的设备可以用于放大、开关和能量转换。
半导体物理Semiconductor Physics的电导率值介于导体（如金属铜）和绝缘体（如玻璃）之间。它的电阻率随着温度的升高而下降；而金属的表现则相反。它的导电性能可以通过在晶体结构中引入杂质（”掺杂”）的方式进行有用的改变。当同一晶体中存在两个不同的掺杂区域时，就会产生一个半导体结。电荷载体（包括电子、离子和电子空穴）在这些结上的行为是二极管、晶体管和大多数现代电子产品的基础。半导体的一些例子是硅、锗、砷化镓和周期表上所谓 “金属阶梯 “附近的元素。继硅之后，砷化镓是第二种最常见的半导体，被用于激光二极管、太阳能电池、微波频率集成电路等。硅是制造大多数电子电路的一个关键元素。
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物理代写|半导体物理代写Semiconductor Physics代考|ENERGY BANDS AND ENERGY GAP
The energy-momentum $(E-k)$ relationship for carriers in a lattice is important, for example, in the interactions with photons and phonons where energy and momentum have to be conserved, and with each other (electrons and holes) which leads to the concept of energy gap. This relationship also characterizes the effective mass and the group velocity, as will be discussed later.
The band structure of a crystalline solid, that is, the energy-momentum $(E-k)$ relationship, is usually obtained by solving the Schrödinger equation of an approximate one-electron problem. The Bloch theorem, one of the most-important theorems basic to band structure, states that if a potential energy $V(r)$ is periodic in the direct lattice space, then the solutions for the wavefunction $\psi(r, k)$ of the Schrödinger equation ${ }^{14,16}$
$$
\left[-\frac{\hbar^2}{2 m^*} \nabla^2+V(\boldsymbol{r})\right] \psi(\boldsymbol{r}, \boldsymbol{k})=E(\boldsymbol{k}) \psi(\boldsymbol{r}, \boldsymbol{k})
$$
are of the form of a Bloch function
$$
\psi(\boldsymbol{r}, \boldsymbol{k})=\exp (j \boldsymbol{k} \cdot \boldsymbol{r}) U_b(\boldsymbol{r}, \boldsymbol{k}) .
$$
Here $b$ is the band index, $\psi(r, k)$ and $U_b(\boldsymbol{r}, \boldsymbol{k})$ are periodic in $\boldsymbol{R}$ of the direct lattice. Since
$$
\begin{aligned}
\psi(\boldsymbol{r}+\boldsymbol{R}, \boldsymbol{k}) &=\exp [j \boldsymbol{k} \cdot(\boldsymbol{r}+\boldsymbol{R})] U_b(\boldsymbol{r}+\boldsymbol{R}, \boldsymbol{k}) \
&=\exp (j \boldsymbol{k} \cdot \boldsymbol{r}) \exp (j \boldsymbol{k} \cdot \boldsymbol{R}) U_b(\boldsymbol{r}, \boldsymbol{k})
\end{aligned}
$$
and is equal to $\psi(r, k)$, it is necessary that $\boldsymbol{k} \cdot \boldsymbol{R}$ is a multiple of $2 \pi$. It is the property of Eq. 4 that the reciprocal lattice can be used when $\boldsymbol{G}$ is replaced with $\boldsymbol{k}$ for visualizing the $E-k$ relationship.
物理代写|半导体物理代写Semiconductor Physics代考|CARRIER CONCENTRATION AT THERMAL EQUILIBRIUM
One of the most-important properties of a semiconductor is that it can be doped with different types and concentrations of impurities to vary its resistivity. Also, when these impurities are ionized and the carriers are depleted, they leave behind a charge density that results in an electric field and sometimes a potential barrier inside the semiconductor. Such properties are absent in a metal or an insulator.
Figure 7 shows three basic bond representations of a semiconductor. Figure 7 a shows intrinsic silicon, which is very pure and contains a negligibly small amount of impurities. Each silicon atom shares its four valence electrons with the four neigh-boring atoms, forming four covalent bonds (also see Fig. 1). Figure $7 \mathrm{~b}$ shows an $n$-type silicon, where a substitutional phosphorous atom with five valence electrons has replaced a silicon atom, and a negative-charged electron is donated to the lattice in the conduction band. The phosphorous atom is called a donor. Figure $7 \mathrm{c}$ similarly shows that when a boron atom with three valence electrons substitutes for a silicon atom, a positive-charged hole is created in the valence band, and an additional electron will be accepted to form four covalent bonds around the boron. This is $p$-type, and the boron is an acceptor.
These names of $n$ – and $p$-type had been coined when it was observed that if a metal whisker was pressed against a $p$-type material, forming a Schottky barrier diode (see Chapter 3 ), a positive bias was required on the semiconductor to produce a noticeable current. ${ }^{25,26}$ Also, when exposed to light, a positive potential was generated with respect to the metal whisker. Conversely, a negative bias was required on an $n$-type material to produce a large current.
半导体物理代写
物理代写|半导体物理代写Semiconductor Physics代考|ENERGY BANDS AND ENERGY GAP
晶格中的载流子的能量-动量$(E-k)$关系是重要的，例如，在与光子和声子的相互作用中，能量和动量必须是守恒的，以及与彼此(电子和空穴)的相互作用中，这导致了能隙的概念。这个关系也表征了有效质量和群速度，这将在后面讨论
晶体固体的能带结构，即能量-动量 $(E-k)$ 通常是通过求解近似单电子问题的Schrödinger方程得到的。布洛赫定理，带结构中最重要的基本定理之一，指出如果一个势能 $V(r)$ 在直接格空间中是周期性的，那么波函数的解呢 $\psi(r, k)$ Schrödinger方程的 ${ }^{14,16}$
$$
\left[-\frac{\hbar^2}{2 m^*} \nabla^2+V(\boldsymbol{r})\right] \psi(\boldsymbol{r}, \boldsymbol{k})=E(\boldsymbol{k}) \psi(\boldsymbol{r}, \boldsymbol{k})
$$
是Bloch函数
的形式$$
\psi(\boldsymbol{r}, \boldsymbol{k})=\exp (j \boldsymbol{k} \cdot \boldsymbol{r}) U_b(\boldsymbol{r}, \boldsymbol{k}) .
$$
这里 $b$ 是波段指数， $\psi(r, k)$ 和 $U_b(\boldsymbol{r}, \boldsymbol{k})$ 都是周期性的 $\boldsymbol{R}$ 直接晶格的。因为
$$
\begin{aligned}
\psi(\boldsymbol{r}+\boldsymbol{R}, \boldsymbol{k}) &=\exp [j \boldsymbol{k} \cdot(\boldsymbol{r}+\boldsymbol{R})] U_b(\boldsymbol{r}+\boldsymbol{R}, \boldsymbol{k}) \
&=\exp (j \boldsymbol{k} \cdot \boldsymbol{r}) \exp (j \boldsymbol{k} \cdot \boldsymbol{R}) U_b(\boldsymbol{r}, \boldsymbol{k})
\end{aligned}
$$
和等于 $\psi(r, k)$，有必要 $\boldsymbol{k} \cdot \boldsymbol{R}$ 是的倍数 $2 \pi$。这是等式4的性质，当 $\boldsymbol{G}$ 替换为 $\boldsymbol{k}$ 为了可视化 $E-k$
物理代写|半导体物理代写半导体物理学代考|载流子浓度AT热平衡
半导体最重要的特性之一是，它可以掺杂不同类型和浓度的杂质，以改变其电阻率。此外，当这些杂质被电离，载流子被耗尽时，它们留下的电荷密度会导致电场，有时还会在半导体内部形成势垒。这种性质在金属或绝缘体中是不存在的
图7显示了半导体的三种基本键表示。图7 a显示了固有硅，它非常纯净，含有可以忽略不计的少量杂质。每个硅原子与相邻的4个原子共享其4个价电子，形成4个共价键(也见图1)。图$7 \mathrm{~b}$显示了$n$型硅，其中一个具有5个价电子的取代性磷原子取代了一个硅原子，并在传导带中向晶格提供了一个负电荷的电子。磷原子称为给体原子。图$7 \mathrm{c}$同样表明，当一个具有三个价电子的硼原子取代一个硅原子时，在价带中会产生一个带正电的空穴，额外的一个电子将被接受，在硼周围形成四个共价键。这是$p$ -type，硼是一个受体
$n$ -和$p$ -型的名称是在观察到如果将金属晶须压在$p$型材料上，形成肖特基势垒二极管(见第三章)时产生的，需要在半导体上有正偏置才能产生明显的电流。${ }^{25,26}$同样，当暴露在光下时，金属须会产生一个正电位。相反，在$n$类型的材料上需要负偏置才能产生大电流
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微观经济学代写
微观经济学是主流经济学的一个分支，研究个人和企业在做出有关稀缺资源分配的决策时的行为以及这些个人和企业之间的相互作用。my-assignmentexpert™ 为您的留学生涯保驾护航 在数学Mathematics作业代写方面已经树立了自己的口碑, 保证靠谱, 高质且原创的数学Mathematics代写服务。我们的专家在图论代写Graph Theory代写方面经验极为丰富，各种图论代写Graph Theory相关的作业也就用不着 说。
线性代数代写
线性代数是数学的一个分支，涉及线性方程，如：线性图，如：以及它们在向量空间和通过矩阵的表示。线性代数是几乎所有数学领域的核心。
博弈论代写
现代博弈论始于约翰-冯-诺伊曼（John von Neumann）提出的两人零和博弈中的混合策略均衡的观点及其证明。冯-诺依曼的原始证明使用了关于连续映射到紧凑凸集的布劳威尔定点定理，这成为博弈论和数学经济学的标准方法。在他的论文之后，1944年，他与奥斯卡-莫根斯特恩（Oskar Morgenstern）共同撰写了《游戏和经济行为理论》一书，该书考虑了几个参与者的合作游戏。这本书的第二版提供了预期效用的公理理论，使数理统计学家和经济学家能够处理不确定性下的决策。
微积分代写
微积分，最初被称为无穷小微积分或 “无穷小的微积分”，是对连续变化的数学研究，就像几何学是对形状的研究，而代数是对算术运算的概括研究一样。
它有两个主要分支，微分和积分；微分涉及瞬时变化率和曲线的斜率，而积分涉及数量的累积，以及曲线下或曲线之间的面积。这两个分支通过微积分的基本定理相互联系，它们利用了无限序列和无限级数收敛到一个明确定义的极限的基本概念 。
计量经济学代写
什么是计量经济学？
计量经济学是统计学和数学模型的定量应用，使用数据来发展理论或测试经济学中的现有假设，并根据历史数据预测未来趋势。它对现实世界的数据进行统计试验，然后将结果与被测试的理论进行比较和对比。
根据你是对测试现有理论感兴趣，还是对利用现有数据在这些观察的基础上提出新的假设感兴趣，计量经济学可以细分为两大类：理论和应用。那些经常从事这种实践的人通常被称为计量经济学家。
Matlab代写
MATLAB 是一种用于技术计算的高性能语言。它将计算、可视化和编程集成在一个易于使用的环境中，其中问题和解决方案以熟悉的数学符号表示。典型用途包括：数学和计算算法开发建模、仿真和原型制作数据分析、探索和可视化科学和工程图形应用程序开发，包括图形用户界面构建MATLAB 是一个交互式系统，其基本数据元素是一个不需要维度的数组。这使您可以解决许多技术计算问题，尤其是那些具有矩阵和向量公式的问题，而只需用 C 或 Fortran 等标量非交互式语言编写程序所需的时间的一小部分。MATLAB 名称代表矩阵实验室。MATLAB 最初的编写目的是提供对由 LINPACK 和 EISPACK 项目开发的矩阵软件的轻松访问，这两个项目共同代表了矩阵计算软件的最新技术。MATLAB 经过多年的发展，得到了许多用户的投入。在大学环境中，它是数学、工程和科学入门和高级课程的标准教学工具。在工业领域，MATLAB 是高效研究、开发和分析的首选工具。MATLAB 具有一系列称为工具箱的特定于应用程序的解决方案。对于大多数 MATLAB 用户来说非常重要，工具箱允许您学习和应用专业技术。工具箱是 MATLAB 函数（M 文件）的综合集合，可扩展 MATLAB 环境以解决特定类别的问题。可用工具箱的领域包括信号处理、控制系统、神经网络、模糊逻辑、小波、仿真等。
