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信号代写|数字电路作业代写digital circuit代考|BIASING THE BIPOLAR JUNCTION TRANSIS

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数字电路DIGITAL CIRCUIT电路通常由逻辑门的大型组件制成,通常被封装在集成电路中。复杂的设备可能有简单的布尔逻辑功能的电子表示。

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调和函数 harmonic function

椭圆方程 elliptic equation

抛物方程 Parabolic equation

双曲方程 Hyperbolic equation

非线性方法 nonlinear method

变分法 Calculus of Variations

几何分析 geometric analysis

偏微分方程数值解 Numerical solution of partial differential equations

信号代写|数字电路作业代写digital circuit代考|BIASING THE BIPOLAR JUNCTION TRANSIS

信号代写|数字电路作业代写digital circuit代考|FIXED-BIAS CIRCUI

One method of biasing a transistor to operate at a desired Q-point is illustrated in Figure $3.18 \mathrm{a}$ which shows the fixed-bias circuit (sometimes called the base-bias circuit). It is convenient to use the forward-active model of the npn BJT as shown in Figure $3.18 \mathrm{~b}$ for analyzing bias circuits.
The collector-emitter voltage $V_{C E}=V_{C}-V_{E}$ is equal to the power supply voltage minus the voltage drop across the collector resistor $R_{C}$. That is:
$$
V_{C E}=V_{C C}-I_{C} R_{C}
$$
where
$$
\begin{aligned}
V_{C E} &=\mathrm{DC} \text { collector-emitter voltage } \
V_{C C} &=\text { collector supply voltage } \
I_{C} &=\mathrm{DC} \text { collector current } \
R_{C} &=\text { load resistance seen from the collector. }
\end{aligned}
$$
Kirchhoff’s Voltage Law applied to the base-emitter loop, yields the following expression for the base current:
$$
I_{B}=\frac{V_{C C}-V_{B E}}{R_{B}} .
$$
Substituting $I_{C}=\beta_{F} I_{B}$ and Equation (3.23) into Equation (3.22), the collector-emitter voltage becomes
$$
V_{C E}=V_{C C}-\beta_{F}\left(\frac{V_{C C}-V_{B E}}{R_{B}}\right) R_{C} .
$$
The Q-point is defined by $I_{C}$ and $V_{C E}$ for a specified $I_{B}$.

信号代写|数字电路作业代写digital circuit代考|EMITTER-BIAS CIRCUIT

The emitter-bias circuit is often used when two power supplies (positive and negative) are available. In this configuration, shown in Figure $3.27$ the collector current can easily be made to be essentially independent of $\beta_{F}$, making the circuit less sensitive to variations in $\beta_{F}$ due to temperature or transistor replacement.
To find $I_{C}$, the KVL equation for the base-emitter loop is found,
$$
\begin{aligned}
V_{E E} &=V_{B E}+I_{B} R_{B}+I_{E E} R_{E} \
&=V_{B E}+I_{C}\left[\frac{R_{B}}{\beta_{F}}+\left(\frac{\beta_{F}+1}{\beta_{F}}\right) R_{E}\right] .
\end{aligned}
$$

信号代写|数字电路作业代写DIGITAL CIRCUIT代考|SELF-BIAS CIRCUIT

The analysis of the diagram of Figure $3.31$ is similar to that of the fixed-bias circuit. Applying KVL on the base-emitter loop,
$$
\begin{aligned}
V_{B B} &=I_{B} R_{B}+V_{B E}+I_{E E} R_{E} \
&=V_{B E}+I_{C}\left[\frac{R_{B}}{\beta_{F}}+\left(\frac{\beta_{F}+1}{\beta_{F}}\right) R_{E}\right] .
\end{aligned}
$$
Solving for the collector current,
$$
\begin{aligned}
I_{C} &=\frac{V_{B B}-V_{B E}}{\frac{R_{B}}{\beta_{F}}+\left(\frac{\beta_{F}+1}{\beta_{F}}\right) R_{E}}=\left(\frac{\beta_{F}}{\beta_{F}+1}\right) \frac{V_{B B}-V_{B E}}{R_{E}+\frac{R_{B}}{\beta_{F}+1}} \
&=\left(\frac{\beta_{F}}{\beta_{F}+1}\right) \frac{\left(\frac{V_{C C} R_{B 2}}{R_{B 1}+R_{B 2}}-V_{B E}\right)}{R_{E}+\frac{R_{B 1} R_{B 2}}{\left(R_{B 1}+R_{B 2}\right)\left(\beta_{F}+1\right)}} .
\end{aligned}
$$
The equation relating $V_{C E}$ to $I_{C}$ (Equation (3.28) repeated as Equation (3.56) below) and the load line analysis are identical to the fixed-bias circuit with emitter feedback,
$$
\begin{aligned}
V_{C E} &=V_{C C}-I_{C} R_{C}-I_{E E} R_{E} \
&=V_{C C}-I_{C}\left(R_{C}+\left(\frac{\beta_{F}+1}{\beta_{F}}\right) R_{E}\right)
\end{aligned}
$$

信号代写|数字电路作业代写digital circuit代考|BIASING THE BIPOLAR JUNCTION TRANSIS

数字电路代写

信号代写|数字电路作业代写DIGITAL CIRCUIT代考|FIXED-BIAS CIRCUI

图 1 说明了一种偏置晶体管以使其工作在所需 Q 点的方法。3.18一种其中显示了固定偏置电路s这米和吨一世米和sC一种ll和d吨H和b一种s和−b一世一种sC一世rC在一世吨. 使用npn BJT的前向激活模型很方便,如图3.18 b用于分析偏置电路。
集电极-发射极电压在C和=在C−在和等于电源电压减去集电极电阻两端的电压降RC. 那是:
在C和=在CC−一世CRC
在哪里
在C和=DC 集电极-发射极电压  在CC= 集电极电源电压  一世C=DC 集电极电流  RC= 从集电极看到的负载电阻。 
基尔霍夫电压定律应用于基极-发射极回路,产生以下基极电流表达式:
一世乙=在CC−在乙和R乙.
替代一世C=bF一世乙和方程3.23进入方程3.22,集电极-发射极电压变为
在C和=在CC−bF(在CC−在乙和R乙)RC.
Q点定义为一世C和在C和对于指定的一世乙.

信号代写|数字电路作业代写DIGITAL CIRCUIT代考|EMITTER-BIAS CIRCUIT

发射极偏置电路通常用于两个电源p这s一世吨一世在和一种ndn和G一种吨一世在和可用。在这个配置中,如图3.27集电极电流可以很容易地制成基本上独立于bF,使电路对变化不太敏感bF由于温度或晶体管更换。
寻找一世C,找到基极-发射极回路的 KVL 方程,
在和和=在乙和+一世乙R乙+一世和和R和 =在乙和+一世C[R乙bF+(bF+1bF)R和].

信号代写|数字电路作业代写DIGITAL CIRCUIT代考|SELF-BIAS CIRCUIT

图的图解分析3.31类似于固定偏置电路。在基极-发射极回路上应用 KVL,
在乙乙=一世乙R乙+在乙和+一世和和R和 =在乙和+一世C[R乙bF+(bF+1bF)R和].
求解集电极电流,
一世C=在乙乙−在乙和R乙bF+(bF+1bF)R和=(bFbF+1)在乙乙−在乙和R和+R乙bF+1 =(bFbF+1)(在CCR乙2R乙1+R乙2−在乙和)R和+R乙1R乙2(R乙1+R乙2)(bF+1).
相关方程在C和到一世C 和q在一种吨一世这n(3.28重复方程3.56下面)和负载线分析与具有发射极反馈的固定偏置电路相同,
在C和=在CC−一世CRC−一世和和R和 =在CC−一世C(RC+(bF+1bF)R和)

信号代写|数字电路作业代写DIGITAL CIRCUIT代考

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